王陽(yáng)元，微電子學(xué)家。1935年1月1日生于浙江寧波。1958年北京大學(xué)物理系畢業(yè)。北京大學(xué)微電子學(xué)研究所教授、所長(zhǎng)，同濟(jì)大學(xué)顧問(wèn)教授。1995年當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院院士。
主持研究成功我國(guó)第一塊3種類型1024位MOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，是我國(guó)硅柵N鉤道MOS集成電路技術(shù)開(kāi)拓者之一。提出了多晶硅薄膜“應(yīng)力增強(qiáng)”氧化模型、工程應(yīng)用方程和摻雜濃度與遷移率的關(guān)系，對(duì)實(shí)踐有重要的指導(dǎo)意義。研究了亞微米電路的硅化物/多晶硅復(fù)合柵結(jié)構(gòu)的應(yīng)力分布。發(fā)現(xiàn)磷摻雜對(duì)固相外延速率的增強(qiáng)效應(yīng)以及CoSi2柵對(duì)器件抗輻照特性的改進(jìn)作用。提出了SOI器件浮體效應(yīng)模型和改進(jìn)措施。發(fā)展了新型SOI器件結(jié)構(gòu)，與合作者一起提出了超高速多晶硅發(fā)射極晶體管的新的解析模型和先進(jìn)雙極工藝技術(shù)。近期又研究亞0.1Чm器件和集成電路技術(shù)以及微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)。
